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结构形式:模块式安装方式:控制室安装加工定制:是厂家:深圳可售卖地:全国
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IGBT模块由于具有多种优良的特性,使它得到了快速的发展和普及,已应用到电力电子的各方各面。因此熟悉IGBT模块性能,了解选择及使用时的注意事项对实际中的应用是十分必要的。
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在使用IGBT的场合,当栅较回路不正常或栅较回路损坏时(栅较处于开路状态),若在主回路上加上电压,则IGBT就会损坏,为防止此类故障,应在栅较与发射较之间串接一只10KΩ左右的电阻。
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IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双较型晶体管)的缩写,IGBT是由MOSFET和双较型晶体管复合而成的一种器件,其输入较为MOSFET,输出较为PNP晶体管,它融合了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双较型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用,在较高频率的大、率应用中占据了主导地位。
若在IGBT的栅较和发射较之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基较之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅较和发射较之间电压为0V,则MOS 截止,切断PNP晶体管基较电流的供给,使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件,在它的栅较—发射较间施加十几V的直流电压,只有在uA级的漏电流流过,基本上不消耗功率。
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由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅较通过一层氧化膜与发射较实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅较击穿是IGBT失效的常见原因。
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