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深圳市宝安区诚芯源电子商行

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众所周知，IGBT是一种用MOS来控制晶体管的新型电力电子器件，具有电压高、电流大、频率高、导通电阻小等特点，被广泛应用在变频器的逆变电路中。但由于IGBT的耐过流能力与耐过压能力较差，一旦出现意外就会使它损坏。为此，必须对IGBT进行相关保护。一般我们从过流、过压、过热三方面进行IGBT保护电路设计。

IGBT的伏安特性是指以栅较电压VGE为参变量时，集电极电流IC与集电极电压VCE之间的关系曲线。IGBT的伏安特性与BJT的输出特性相似，也可分为饱和区I、放大区II和击穿区III三部分。IGBT作为开关器件稳态时主要工作在饱和导通区。IGBT的转移特性是指集电极输出电流IC与栅较电压之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相同，当栅较电压VGE小于开启电压VGE(th)时，IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大部分集电极电流范围内，IC与VGE呈线性关系。

在使用IGBT的场合，当栅较回路不正常或栅较回路损坏时(栅较处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅较与发射较之间串接一只10KΩ左右的电阻。

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双较型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双较型晶体管复合而成的一种器件，其输入较为MOSFET，输出较为PNP晶体管，它融合了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双较型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、率应用中占据了主导地位。
若在IGBT的栅较和发射较之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基较之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅较和发射较之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基较电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅较—发射较间施加十几V的直流电压，只有在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。
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