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简单讲,IGBT是一个非通即断的开关,IGBT没有放大电压的功能,导通时可以看做导线,断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点,如驱动功率小和饱和压降低等。
国内市场需求急剧上升曾使得IGBT市场一度被看好。虽然长期来看,IGBT是一个值得期待的市场,可是到目前为止IGBT的核心技术和产业为大多数欧美IDM半导体厂商所掌控,中国在2014年6月成功研制出8寸IGBT专业芯片,打破国际垄断 。并且随着各国都将削减可再生能源及交通等领域的支出,IGBT市场能否再度增长?
根据新的调查报告显示,各种IGBT器件和模块的销售额在2013年将有一定程度的复苏,2014年稍稍减速,待经济复苏并稳定后,从2015年开始将稳定增长。虽然2013年IGBT市场增长趋势有所下降,但随着国内技术的进步,其发展前景还是十分被看好的。
IGBT是事关国家经济发展的基础性产品,如此重要的IGBT,长期以来我国却不得不面对依赖进口的尴尬局面,市场主要被英飞凌、三菱、富士电机为首的国际巨头垄断。自2005年开始,大量海外IGBT人才纷纷归国投入国产IGBT芯片和模块产业的发展,尤其是以美国国际整流器公司(IR)回国人员多。
IGBT的种类有哪些?
绝缘栅双极晶体AD795JR管根据其结构主要分为N沟道IGBT和P沟道IGBT管两大类。
IGBT的开关损耗与MOSFET相比有什么不同?
开关损耗主要包括关断时的损耗(关断损耗)和开通时的损耗(开通损耗)。在常温下,IGBT和MOSFET的关断损耗差不多。IGBT开通损耗的平均值比MOSFET咯小。MOSFET的开通损耗与温度关系不大,而对于IGBT,温度每增加100℃,损耗增加2倍。两种器件的开关损耗与电流相关,电流越大,损耗越高。